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NDSH20120CDN

Name: onsemi NDSH20120CDN
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120CDN
Price: 8.26 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

863-NDSH20120CDN

N° de fab. :

NDSH20120CDN

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC SIC DIODE GEN20 1200V TO247-3L

Fiche technique:

NDSH20120CDN Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	4,45 €	2 002,50 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Configuration:	Dual Anode Common Cathode
If - Courant direct:	24 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.2 kV
Vf - Tension directe:	1.75 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	59 A
Ir - Courant inverse:	1 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	NDSH20120CDN
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Pd - Dissipation d’énergie :	94 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	1.2 kV

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Fiche technique

NDSH20120CDN Fiche technique

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Diodes EliteSiC D3

Les diodes EliteSiC D3 d'onsemi sont une solution pour les applications nécessitant un PFC et un redressement de la sortie pour des puissances élevées. La tension nominale maximale des D3 d'onsemi est de 1 200 V. Ces diodes sont disponibles en deux versions de boîtier – TO-247-2LD et TO-247-3LD – pour s'adapter à un large éventail de conceptions. Les diodes EliteSic D3 sont optimisées pour un fonctionnement à haute température avec une faible dépendance à la température de la résistance en série, assurant ainsi des performances constantes et fiables même dans des conditions extrêmes.

Diode Schottky au carbure de silicium (SiC) NDSH20120CDN

La diode Schottky au carbure de silicium (SiC) NDSH20120CDN d'onsemi offre des performances de commutation et une fiabilité supérieures par rapport au silicium. Le boîtier NDSH20120CDN TO-247-3LD dispose d’aucun courant de récupération inverse, de caractéristiques de commutation indépendantes de la température et d’excellentes performances thermiques. Les avantages du système incluent un rendement élevé, une fréquence de fonctionnement rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une réduction de la taille et du coût du système. Cette diode EliteSiC offre un coefficient de température positif et une facilité de mise en parallèle.