MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V M3S

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) 1 200 V M3S onsemi sont optimisés pour les applications à commutation rapide. Sa technologie planaire fonctionne de manière fiable avec un entraînement négatif de la tension de grille et des pics d'arrêt sur la grille. Les MOSFET 1 200 V onsemi M3S offrent des performances optimales avec une commande de grille 18 V mais fonctionnent aussi parfaitement avec une commande de grille 15 V. Logé dans un boîtier TO247-4LD à faible inductance de source commune, le MS3 assure de faibles pertes de commutation.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial

onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
Fiche technique
1 634En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
Fiche technique
282En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC