Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

NTMT045N065SC1

Name: onsemi NTMT045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMT045N065SC1
Price: 9.74 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTMT045N065SC1

N° de fab. :

NTMT045N065SC1

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS PQFN88 650V

Fiche technique:

NTMT045N065SC1 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTMT045N065SC1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TDFN-4
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	55 A
Rds On - Résistance drain-source:	50 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Qg - Charge de grille:	105 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	187 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	EliteSiC
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	16 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	14 ns
Série:	NTMT045N065SC1
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Polarité du transistor:	N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	13 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTMT045N065SC1 Fiche technique

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible R_DS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTMT045N065SC1

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) onsemi NTMT045N065SC1 utilisent une technologie qui fournit des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles de ceux au silicium simple. Les MOSFET onsemi présentent une basse résistance à l'état passant (ON) et une taille compacte de puces, garantissant de basses capacité et charge de grille. Ces composants présentent des avantages tels qu'un haut rendement, une fréquence de fonctionnement rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

MOSFET de puissance EliteSiC 650V NXVF6532M3TG01

Offre une efficacité supérieure, une commutation rapide et des performances thermiques robustes.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVBG050N170M1

Il dispose d'une résistance maximale R_DS(ON) de 76 mΩ à 20 V et une tension de drain à source de 1 700 V.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTBL032N065M3S

Conçu pour les applications à commutation rapide, offrant des performances fiables.

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NVH4L050N170M1

Permet des performances exceptionnelles avec une RDS(on) standard de 53 mΩ à VGS = 20 V.

En stock: 5 818

Stock:: 5 818 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 33 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Les quantités supérieures à 5818 seront soumises à des commandes minimales.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	9,74 €	9,74 €
	6,55 €	65,50 €
	6,45 €	645,00 €
	6,16 €	3 080,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	6,16 €	18 480,00 €

NTMT045N065SC1

Fab. : onsemi

Description : SiC MOSFET SIC MOS PQFN88 650V

Caractéristiques

Documents (1)

Fiche technique

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

MOSFET EliteSiC M2

MOSFET au carbure de silicium (SiC) NTMT045N065SC1

Nos clients ont également acheté

PRODUITS PRÉSENTÉS ONSEMI

En stock: 5 818

Prix (EUR)

Aperçu rapide

Une erreur inattendue est survenue.

Fab. :

onsemi

Description :

SiC MOSFET SIC MOS PQFN88 650V

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI