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NVMFWS1D7N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D7N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D7N04XMT1G
Price: 1.78 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-VMFWS1D7N04XMT1G

N° de fab. :

NVMFWS1D7N04XMT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVMFWS1D7N04XMT1G Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,78 €	1,78 €
	1,14 €	11,40 €
	0,787 €	78,70 €
	0,667 €	333,50 €
	0,557 €	557,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,513 €	769,50 €
	0,486 €	1 458,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFNW-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	154 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.65 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	29 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	75 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Transconductance directe - min.:	77 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13 ns
Série:	NVMFWS1D7N04XM
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	10 ns
Délai d'activation standard:	7 ns

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Fiche technique

NVMFWS1D7N04XMT1G Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET NVMFWS1D7N04XM

Le MOSFET NVMFWS1D7N04XM d'onsemi est un MOSFET à grille STD et canal N simple dans un boîtier SO8FL. Le dispositif se caractérise par une tension drain-source de 40 V et un courant de drain continu de 154 A, il est homologué AEC-Q101. Le MOSFET NVMFWS1D7N04XM d'onsemi minimise les pertes de pilotage et de conduction avec une capacité faible et R_DS(on) faible. Le NVMFWS1D7N04XM tient sur une petite empreinte de 5 mm x 6 mm et est idéal pour l'entraînement de moteur, la protection de batterie et le redressement synchrone.