Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

NVMFD5877NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFD5877NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FD5877NLWFT1G-UM
Price: 1.58 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-FD5877NLWFT1G-UM

N° de fab. :

NVMFD5877NLWFT1G-UM

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVMFD5877NLWFT1G-UM Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NVMFD5877NLWFT1G-UM

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	17 A
Rds On - Résistance drain-source:	39 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	11 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	23 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Dual
Temps de descente:	3.9 ns
Transconductance directe - min.:	7 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15.8 ns
Série:	NVMFD5877NL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	11.8 ns
Délai d'activation standard:	8.1 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NVMFD5877NLWFT1G-UM Fiche technique

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET N voies double NVMFD5877NL

Le MOSFET à canal N double NVMFD5877NL d'onsemi est conçu pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées. Ce MOSFET à canal N offre une option de flancs mouillables pour une inspection optique améliorée. Le MOSFET NVMFD5877NL présente une faible résistance de conduction pour minimiser les pertes de conduction et une faible capacité pour minimiser les pertes du pilote. Ce MOSFET à canal N est homologué AEC-Q101 et capable de PHPP. Le MOSFET NVMFD5877NL est adapté aux applications automobiles telles que les pilotes de solénoïde et les pilotes côté bas/côté haut.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on)et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

En stock: 945

Stock:: 945

Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Sur commande:: 1 500

29/12/2026 attendu
Délai usine :: 23

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1 Maximum : 150

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,58 €	1,58 €
	0,989 €	9,89 €
	0,656 €	65,60 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	0,656 €	984,00 €

NVMFD5877NLWFT1G-UM

Fab. : onsemi

Description : MOSFET NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

Caractéristiques

Documents (1)

Fiche technique

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

MOSFET N voies double NVMFD5877NL

Nos clients ont également acheté

PRODUITS PRÉSENTÉS ONSEMI

En stock: 945

Prix (EUR)

Aperçu rapide

Une erreur inattendue est survenue.

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI