Photo MOSFET APML-600JV/JT

Les photo MOSFET APML-600JV/JT de Broadcom sont des photo MOSFET haute tension conçus pour les applications automobiles. Ces MOSFET sont constitués d’un étage d’entrée à diode électroluminescente (LED) à infrarouge AlGaAs qui est couplé optiquement à un circuit de détection de sortie à haute tension.  Ce détecteur est constitué d’un réseau de diodes photovoltaïques haut débit et d’un circuit de commande pour allumer/éteindre deux MOSFET discrets à haute tension.  Le photo MOSFET APML-600JV/JT s’allume (se ferme par contact) avec un courant d’entrée minimal de 1,5 mA via la LED d’entrée. Le photo MOSFET s’éteint (se ferme par contact) avec une tension d’entrée de 0,4 V ou moins. Les MOSFET APML-600JV/JT disposent d’un commutateur de signal bidirectionnel à semi-conducteurs compact et sont homologués AEC-Q101. Les MOSFET APML-600JV/JT fournissent une isolation et une fiabilité renforcées pour fournir une isolation sûre du signal dans les applications automobiles et industrielles à haute température. Idéalement, ces MOSFET sont utilisés dans les systèmes de mesure de la résistance d’isolation de batterie/détection de fuite et de gestion de batterie (BMS).