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SUM40014M-GE3

Name: Vishay SUM40014M-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUM40014M-GE3
Price: 3.82 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SUM40014M-GE3

N° de fab. :

SUM40014M-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET TO263 N-CH 40V 200A

Fiche technique:

SUM40014M-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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	3,82 €	3,82 €
	2,53 €	25,30 €
	1,79 €	179,00 €
	1,78 €	890,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	200 A
Rds On - Résistance drain-source:	990 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.4 V
Qg - Charge de grille:	182 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	ThunderFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Vishay / Siliconix
Temps de descente:	35 ns
Transconductance directe - min.:	140 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	ThunderFET Power MOSFET
Délai de désactivation type:	100 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	1,600 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET 40 V à canal N SUM40014M

Le MOSFET 40 V à canal N SUM40014M Vishay/Siliconix fournit une tension drain-source de 40 V_DS dans un boîtier D²PAK à configuration unique avec puissance ThunderFET®. Le MOSFET utilise une conception sans plomb et conforme à la directive RoHS et est testé à 100 % R_g et UIS. Le MOSFET 40 V à canal N SUM40014M Vishay/Siliconix est adapté pour une utilisation dans les convertisseurs CC-CC, les applications de gestion de batterie, les outils électriques et les commutateurs d'entraînement moteur.

MOSFET TrenchFET®

Les MOFSET TrenchFET^® de Vishay / Siliconix sont dotés d'une technologie silicium à canaux P et N permettant à ces composants de fournir d'excellentes spécifications de résistance à l'état passant de 1,9 mΩ dans le PowerPAK^® SO-8. Ces MOSFET ont une résistance à l'état passant pouvant descendre à la moitié du niveau des nouveaux meilleurs dispositifs sur le marché. Les MOSFET à canal N offrent une plage de tension de rupture drain-source de 40 V à 250 V, une dissipation d'énergie nominale de 375 W et une puissance ThunderFET en fonction du modèle. Les MOSFET à canal P disposent de jusqu'à 2 canaux, d'un montage CMS et traversant et d'une plage de tension de rupture drain-source de 12 V à 200 V.