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NTB004N10G

Name: onsemi NTB004N10G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB004N10G
Price: 5.62 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

863-NTB004N10G

N° de fab. :

NTB004N10G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET MV5 SOAFET 4.2MOHM 100V N-FET D2PAK

Fiche technique:

NTB004N10G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	5,62 €	5,62 €
	4,01 €	40,10 €
	3,47 €	347,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 800)
	3,40 €	2 720,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	201 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.2 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	175 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	340 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	MOSFETs
Série:	NTB004N10G
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

NTB004N10G Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance à canal N NTB004N10G

Le MOSFET de puissance à canal N NTB004N10G onsemi est un MOSFET à mode d'amélioration et canal N de 201 A (I_D), 100 V (V_DSS), particulièrement indiqué pour l'énergie d'avalanche, qui est fourni en boîtier D²PAK. Ce MOSFET dispose d'un faible niveau R_DS(on) de 4,2 mΩ à 10 V, offre une fiabilité maximale grâce à la robustesse de sa technologie et support la permutation à chaud avec une courbe de zone de fonctionnement (SOA) supérieure aux MOFSET standard. Le MOSFET NTB004N10G d'Onsemi est conçu pour les applications à large SOA à partir d'un bus de 48 V, notamment les équipements de télécommunications, de permutation à chaud et de serveur. D'autres applications typiques comprennent également des convertisseurs et des alimentations électriques.