Transistors à effet de champ SSM6N951L/SSM10N954L

Les transistors à effet de champ SSM6N951L/SSM10N954L de Toshiba favorisent une charge/décharge à haut rendement dans les petites batteries / piles. Améliorer la fiabilité d’une batterie avec un faible impact thermique est une exigence clé pour les batteries Li-ion adoptant un chargement rapide. Les MOSFET sont généralement utilisés dans le circuit de protection de charge/décharge comme commutateur et sont souvent intégrés dans un bloc-batterie Li-ion.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Toshiba MOSFET TCSPAC N-CH 12V 13.5A
Fiche technique
9 007En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 10 000

Si SMD/SMT TCSPAC-153001-10 N-Channel 1 Channel 12 V 13.5 A - 8 V, 8 V 1.4 V 25 nC + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET Rdson: 4.4mOhm Vgs: 4.5V
Fiche technique
5 948En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 10 000

Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 12 V 8 A 5.1 mOhms - 8 V, 8 V 1.4 V 26 nC - 55 C + 150 C 700 mW Enhancement Reel, Cut Tape