MOSFET – Mouser France

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MOSFET TrenchFET®

Les MOFSET TrenchFET^® de Vishay / Siliconix sont dotés d'une technologie silicium à canaux P et N permettant à ces composants de fournir d'excellentes spécifications de résistance à l'état passant de 1,9 mΩ dans le PowerPAK^® SO-8. Ces MOSFET ont une résistance à l'état passant pouvant descendre à la moitié du niveau des nouveaux meilleurs dispositifs sur le marché. Les MOSFET à canal N offrent une plage de tension de rupture drain-source de 40 V à 250 V, une dissipation d'énergie nominale de 375 W et une puissance ThunderFET en fonction du modèle. Les MOSFET à canal P disposent de jusqu'à 2 canaux, d'un montage CMS et traversant et d'une plage de tension de rupture drain-source de 12 V à 200 V.

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Résultats: 177

Filtres appliqués:

Style de montage

Package/Boîte

Polarité du transistor

Nombre de canaux

Vds - Tension de rupture drain-source

Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

Vgs - Tension grille-source

Vgs th - Tension de seuil grille-source

Qg - Charge de grille

Température de fonctionnement min.

Température de fonctionnement max.

Pd - Dissipation d’énergie

Nom commercial

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Référence

MOSFET 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V

SUP90N06-05L-E3
Vishay / Siliconix
500: 2,73 €
Non stocké

Fab. Numéro de référence
SUP90N06-05L-E3

Référence Mouser
781-SUP90N06-05L-E3

Vishay / Siliconix

MOSFET 60V 90A 300W 4.9mohm @ 10V

Non stocké

2,73 €

2,34 €

Min. : 500
Mult. : 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

TrenchFET

Tube

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SOT-23

SI2318CDS-T1-GE3
Vishay Semiconductors
Délai de livraison produit non stocké 4 Semaines
Commande spéciale d''usine

Fab. Numéro de référence
SI2318CDS-T1-GE3

Référence Mouser
781-SI2318CDS-T1-GE3

Commande spéciale d''usine

Vishay Semiconductors

MOSFET 40V Vds 20V Vgs SOT-23

Fiche technique

Commentaire Produit

Délai de livraison produit non stocké 4 Semaines

Devis

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

40 V

5.6 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel

MOSFET TrenchFET®

Bureau du Service Client

Société

Ressources

Assistance

ChipFET-8
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
MicroFoot-30
MicroFoot-4
MicroFoot-6
Powerpack-4
PowerPAK 1212-8
PowerPAK-1212-8
PowerPAK 1212-8S
PowerPAK-1212-8S-8
PowerPAK-4
PowerPAK-8
PowerPAK-SC70-6
PowerPAK SO-8
PowerPAK-SO-8
PowerPAK SO-8L
PowerPAK SO-8S
PowerPAK - SO-8S
SC-70-6

1.75 A
1.9 A
2 A
2.3 A
2.4 A
2.9 A
3.1 A
3.6 A
3.8 A
4 A
4.3 A
4.5 A
4.8 A
5 A
5.1 A
5.3 A
5.4 A
5.6 A
5.9 A
6 A

470 uOhms
570 uOhms
940 uOhms
990 uOhms
1.47 mOhms
1.5 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
1.95 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.25 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
800 mV
850 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
2 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.8 V
3 V

2.7 nC
2.9 nC
4.7 nC
6.1 nC
6.6 nC
6.9 nC
7.5 nC
8.9 nC
9 nC
10.6 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
12.9 nC
13.6 nC
13.8 nC
14 nC
14.3 nC
14.6 nC

330 mW
900 mW
1.6 W
1.6 W, 1.7 W
1.7 W
1.8 W
1.9 W
1.95 W
2.1 W
2.2 W
2.5 W
2.7 W
2.9 W
3.1 W
3.6 W
4 W
4.2 W
5.4 W
6 W
6.3 W