MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Les MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL d'onsemi sont conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées. Ces MOSFET disposent d'une faible résistance (RDS(on)) pour minimiser les pertes en conduction et une faible capacité pour minimiser les pertes de pilote. Les MOSFET de puissance NVMFD5873NL offrent une option de flancs mouillables pour une inspection optique améliorée. Ces MOSFET sont qualifiés AEC−Q101 et compatibles PHPP. Les MOSFET de puissance NVMFD5873NL sont idéaux pour le contrôle de moteur et un commutateur côté haut/côté bas.

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Qualification Conditionnement
onsemi MOSFET NFET DFN8 60V 58A 13MOHM
1 50014/04/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 500

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 2 Channel 60 V 58 A 13 mOhms 20 V 2.5 V 30.5 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Pwr MOSFET 60V 58A 13mOhm Dual N-CH Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V 58 A 13 mOhms AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel