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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 40 C + 150 C 102 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 39 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 173 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Reel