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MRF1K50HR5

Name: NXP MRF1K50HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRF1K50HR5
Price: 384.3 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

841-MRF1K50HR5

N° de fab. :

MRF1K50HR5

Fab. :

NXP Semiconductors

Description :

Transistors MOSFET RF Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

Fiche technique:

MRF1K50HR5 Fiche technique (PDF)

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 50)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	384,30 €	384,30 €
	332,85 €	3 328,50 €
	320,01 €	8 000,25 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 50)
	312,27 €	15 613,50 €
100	Devis

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	NXP
Catégorie du produit:	Transistors MOSFET RF
RoHS:
Polarité du transistor:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Courant continu de fuite:	36 A
Vds - Tension de rupture drain-source:	135 V
Fréquence de fonctionnement:	1.8 MHz to 500 MHz
Gain:	23.7 dB
Alimentation en sortie:	1.5 kW
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	NI-1230H-4S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	NXP Semiconductors
Transconductance directe - min.:	33.5 S
Nombre de canaux:	2 Channel
Pd - Dissipation d’énergie :	1.667 kW
Type de produit:	RF MOSFET Transistors
Série:	MRF1K50H
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	MOSFETs
Type:	RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source:	+ 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Raccourcis pour l'article N°:	935313284178
Poids de l''unité:	0,001 mg

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Fiche technique

MRF1K50HR5 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRF1K50H 1500W RF Power LDMOS Transistor

NXP MRF1K50H 1500W RF Power LDMOS Transistor combines high RF output power with superior ruggedness and thermal performance. The transistor is designed to deliver 1.50kW CW at 50V and allows a reduction in the number of transistors in high-power RF amplifiers. MRF1K50H has an input and output design that allows for wide frequency range use from 1.8MHz to 500MHz. Applications include laser and plasma sources to particle accelerators, industrial welding machines, radio and VHF TV broadcast transmitters, and amateur radio linear amplifiers.