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NVMFS5C645NT1G

Name: onsemi NVMFS5C645NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C645NT1G
Price: 2.49 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMFS5C645NT1G

N° de fab. :

NVMFS5C645NT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 60V 1.65MOHM T6 SINGLE S08FL

Fiche technique:

NVMFS5C645NT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	92 A
Rds On - Résistance drain-source:	4.6 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	20.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	79 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	5.8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	36.3 ns
Série:	NVMFS5C645N
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	27 ns
Délai d'activation standard:	13.2 ns

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Fiche technique

NVMFS5C645NT1G Fiche technique

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5C645N

Les MOSFET de puissance monocanal NVMFS5C645N d’onsemi présentent un courant de drain continu de 92 A, une résistance R_DS(ON)de 4,6 mΩ à 10 V et une tension drain-source de 60 V. Le NVMFS5C645N est disponible dans un boîtier à plat de 5 mm x 6 mm, conçu pour des conceptions compactes et efficaces. Le MOSFET homologué AEC-Q101 d'onsemi est compatible PHPP et idéal pour les applications automobiles.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on)et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

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NVMFS5C645NT1G

Fab. : onsemi

Description : MOSFET 60V 1.65MOHM T6 SINGLE S08FL

Caractéristiques

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Produit et conformité commerciale

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MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5C645N

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MOSFET 60V 1.65MOHM T6 SINGLE S08FL

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