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NDSH20120C

Name: onsemi NDSH20120C
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120C
Price: 7.77 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NDSH20120C

N° de fab. :

NDSH20120C

Fab. :

onsemi

Description :

Diodes Schottky SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

Fiche technique:

NDSH20120C Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	20 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.2 kV
Vf - Tension directe:	1.38 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	119 A
Ir - Courant inverse:	200 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	NDSH20120C
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Pd - Dissipation d’énergie :	214 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	450
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Nom commercial:	EliteSiC
Vr - Tension inverse:	1.2 kV

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Fiche technique

NDSH20120C Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Diodes EliteSiC D3

Les diodes EliteSiC D3 d'onsemi sont une solution pour les applications nécessitant un PFC et un redressement de la sortie pour des puissances élevées. La tension nominale maximale des D3 d'onsemi est de 1 200 V. Ces diodes sont disponibles en deux versions de boîtier – TO-247-2LD et TO-247-3LD – pour s'adapter à un large éventail de conceptions. Les diodes EliteSic D3 sont optimisées pour un fonctionnement à haute température avec une faible dépendance à la température de la résistance en série, assurant ainsi des performances constantes et fiables même dans des conditions extrêmes.

Diodes au carbure de silicium (SiC) NDSH20120C

Les diodes au carbure de silicium (SiC) onsemi NDSH20120C ont des performances de commutation et une fiabilité supérieures à celles des diodes au silicium simple. La diode onsemi NDSH20120C n'a aucun courant de récupération inverse, présente des caractéristiques de commutation indépendantes de la température et d'excellentes performances thermiques. Le système bénéficie d'un rendement élevé, d'une fréquence de fonctionnement rapide, d'une densité de puissance accrue, d'une réduction des EMI et de la taille et du coût du système.