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NVMYS3D8N04CLTWG

Name: onsemi NVMYS3D8N04CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS3D8N04CLTWG
Price: 1.58 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMYS3D8N04CLTWG

N° de fab. :

NVMYS3D8N04CLTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T6 40V LL LFPAK

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

NVMYS3D8N04CLTWG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,58 €	1,58 €
	1,43 €	14,30 €
	0,955 €	95,50 €
	0,778 €	389,00 €
	0,682 €	682,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,418 €	1 254,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	87 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	18 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	55 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	4 ns
Transconductance directe - min.:	80 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	100 ns
Série:	NVMYS3D8N04CL
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	17 ns
Délai d'activation standard:	9.3 ns

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Fiche technique

NVMYS3D8N04CLTWG Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance NVMYS3D8N04CL

Le MOSFET de puissance NVMYS3D8N04CL d'onsemi est un MOSFET monocanal N conçu pour des conceptions compactes et efficaces avec des performances thermiques élevées. Ce MOSFET de puissance fonctionne à une tension drain-source de 40 V, une résistance de drain de 3,7 mΩ et un courant de drain continu de 87 A. Le MOSFET à canal N NVMYS3D8N04CL est homologué AEC-Q101, compatible PPAP et adapté aux applications automobiles qui nécessitent une fiabilité améliorée au niveau de la carte. Ce composant est sans plomb et conforme à la directive RoHS. Le NVMYS3D8N04CL est idéal pour les commutateurs d’alimentation de protection de batterie inverse, les alimentations à commutation, les pilotes de solénoïde, la commande de moteur et les commutateurs de charge.