Modules Q2Pack et Q2BOOST NPC à trois niveaux

Les modules Q2Pack NPC à trois niveaux NXH350N100H4Q2F2 d'Onsemi sont des modules d'alimentation intégrés (PIM) contenant un seul étage NPC de type I. L'étage NPC de type I comprend des diodes SiC de 100 A, 1 200 V pour les pinces de point neutre, des IGBT de 350 A, 1 000 V pour les IGBT externes et des IGBT de 400 A, 1 000 V pour les IGBT internes. Le module Q2Pack NXH350N100H4Q2F2 d'Onsemi offre une puissance de sortie plus élevée que d'autres solutions IGBT 1 200 V et contient une thermistance embarquée. Le module Q2BOOST d'Onsemi offre une excellente efficacité et des pertes thermiques exceptionnelles, avec la flexibilité nécessaire pour prendre en charge différents processus de fabrication.

Résultats: 4
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Courant collecteur continu de 25 C Courant de fuite gâchette-émetteur Pd - Dissipation d’énergie Package/Boîte Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement


onsemi Modules IGBT GEN1.5 1500V MASS MARKET 7En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules 3-Phase Inverter 1 kV 1.63 V, 1.75 V 303 A, 298 A 2 uA 592 W, 731 W - 40 C + 150 C Tray
onsemi NXH400B100H4Q2F2PG
onsemi Modules IGBT N06NF Q2BOOST 35En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Boost Power Modules IGBT Inverter 1 kV 1.88 V 164 A 1 uA 396 W PIM-50 - 40 C + 175 C Tray
onsemi NXH400B100H4Q2F2SG
onsemi Modules IGBT N06NF Q2BOOST#1 35En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Boost Power Modules IGBT Inverter 1 kV 1.88 V 164 A 1 uA 396 W PIM-50 - 40 C + 175 C Tray
onsemi NXH350N100H4Q2F2S1G
onsemi Modules IGBT GEN1.5 1500V MASS MARKET 36En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Modules Tray