MOSFET de puissance CoolMOS™ S7A 600 V

Les MOSFET de puissance CoolMOS™ S7A 600 V Infineon Technologies sont des MOSFET à super-jonction qui répondent aux applications xEV où les MOSFET sont commutés à basse fréquence. La conception de ces MOSFET offre une faible résistance à l'état passant R_DS(on) de 10 mΩ à coût optimisé, permettant une densité de puissance accrue et des pertes de conduction réduites. Les MOSFET S7A sont des composants AEC-Q101 de classe automobile qui satisfont la meilleure qualité automobile. Ces MOSFET avec des boîtiers QDPAK refroidis côté haut et QDPAK refroidis côté bas offrent un rendement et une contrôlabilité accrus. Les MOSFET 600 V sont utilisés dans les fusibles électroniques HT, les déconnexions électroniques HT et les chargeurs embarqués.