IPDQ60R010S7AXTMA1

Infineon Technologies
726-DQ60R010S7AXTMA1
IPDQ60R010S7AXTMA1

Fab. :

Description :
MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

Modèle de ECAO:
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En stock: 918

Stock:
918
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Sur commande:
750
26/03/2026 attendu
Délai usine :
22
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
17,90 € 17,90 €
13,41 € 134,10 €
11,95 € 1 195,00 €
11,71 € 5 855,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 750)
11,18 € 8 385,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
10 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
318 nC
- 55 C
+ 150 C
694 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: Infineon Technologies
Type de produit: MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine: 750
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: IPDQ60R010S7A SP002063384
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Dispositif de puissance à super-jonction S7A CoolMOS™ 600 V

Le dispositif de puissance à super-jonction S7A CoolMOS™ 600 V Infineon Technologies est un MOSFET de puissance haute tension, conçu comme un commutateur statique. Il repose sur le principe de super-jonction d'Infineon Technologies.Il combine l'expérience du plus grand fournisseur de MOSFET à super-jonction avec une innovation haut de gamme pour un RDS(on) faible dans un boîtier QDPAK.La série S7A est optimisée pour les applications et courant élevé et de commutation basse fréquence comme les disjoncteurs.