Pilote GaN à demi-pont LMG1025/LMG1025-Q1

Le pilote GaN à demi-pont LMG1025/LMG1025-Q1 de Texas Instruments est conçu pour piloter les FET au nitrure de gallium (GaN) à mode d'amélioration, à la fois du côté haut et du côté bas, dans une configuration Buck, Boost ou demi-pont synchrone.  Le composant dispose d'une diode d'amorçage 100 V intégrée et d'entrées indépendantes pour les sorties côté haut et côté bas pour une flexibilité de contrôle maximale. La tension de polarisation côté haut est générée à l'aide d'une technique d'amorçage. Elle est bridée en interne à 5 V, ce qui empêche la tension de grille de dépasser la valeur maximale de la tension nominale de la grille-source des FET GaN en mode d'amélioration. Les entrées du LMG1205/LMG1025-Q1 sont compatibles logique TTL et peuvent supporter des tensions d'entrée jusqu'à 14 V quelle que soit la tension VDD.  Le LMG1205/LMG1205-Q1 est doté de sorties à grille séparée, ce qui permet de régler indépendamment l'intensité de l'activation et de la désactivation.