60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 4 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 24 Semaines
Min. : 10 000
Mult. : 10 000
Bobine: 10 000

Si SMD/SMT SOT-563-6 P-Channel 2 Channel 60 V 200 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel
Panjit MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Min. : 3 000
Mult. : 3 000
Bobine: 3 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 10.9 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel