TK55S10N1,LQ
Voir les caractéristiques du produit
Fab. :
Description :
MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
En stock: 200
-
Stock:
-
200Expédition possible immédiatementUne erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
-
Sur commande:
-
2 00012/06/2026 attendu
-
Délai usine :
-
5Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Prix (EUR)
| Qté. | Prix unitaire |
Ext. Prix
|
|---|---|---|
| Ruban à découper / MouseReel™ | ||
| 3,36 € | 3,36 € | |
| 2,20 € | 22,00 € | |
| 1,54 € | 154,00 € | |
| 1,26 € | 630,00 € | |
| Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000) | ||
| 1,18 € | 2 360,00 € | |
Fiche technique
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Tips for Selecting Level Shifters (Voltage Translation ICs)
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- TARIC:
- 8541290000
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- KRHTS:
- 8541299000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
- Pays d'origine:
- Japon
- Pays d'origine de l'assemblage:
- Non disponible
- Pays de diffusion:
- Non disponible
France

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products
may be used as engineering samples, however; they are not intended for
volume automotive production or reliability testing without prior
approval by Toshiba Semiconductor and Storage.
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for
further assistance.
5-0320-2