MOSFET de puissance R60xxKNZ4

Les MOSFET de puissance R60xxKNZ4 de ROHM Semiconductor sont des MOSFET à canal N et 600 V conçus pour les applications de commutation. Le R60xxKNZ4 fournit une faible résistance à l'état passant et une vitesse de commutation rapide. Les MOSFET de puissance ROHM R60xxKNZ4 sont disponibles en boîtier TO-247 qui permet une mise en parallèle facile.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 30A N-CH MOSFET
Fiche technique
1 700En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 24A N-CH MOSFET
Fiche technique
1 162En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 600V 35A N-CH MOSFET
Fiche technique
600En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 102 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Tube