Modules d'alimentation IGBT QDual3 NXH800H120L7QDSG

Les modules d'alimentation IGBT QDual3 NXH800H120L7QDSG d'onsemi sont des modules d'alimentation IGBT à demi-pont nominaux 1 200 V, 800 A   Ces modules intègrent des IGBT Field Stop Trench 7 et des diodes Gen 7 pour arriver à de faibles pertes de conduction et de commutation. Cela permet aux concepteurs d'atteindre une efficacité élevée et une fiabilité supérieure. Les applications typiques inclut les entraînements à moteur, les servo-moteurs, les véhicules agricoles commerciaux (CAV), les moteurs solaires et les ASI.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Courant collecteur continu de 25 C
Courant de fuite gâchette-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Package/Boîte
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
onsemi Modules IGBT 1200V 800A QDUAL3
Fiche technique
60En stock
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.65 V 1.6 kA 80 nA 34.2 mW PIM-11 - 40 C + 175 C Tray
onsemi Modules IGBT 1200V 800A QDUAL3
Fiche technique
60Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.65 V 800 A 80 nA 34.2 mW 152 mm x 62.15 mm - 40 C + 175 C Tray