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R8003KNXC7G

Name: ROHM Semiconductor R8003KNXC7G
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R8003KNXC7G
Price: 2.02 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-R8003KNXC7G

N° de fab. :

R8003KNXC7G

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET TO220 800V 3A N-CH MOSFET

Fiche technique:

R8003KNXC7G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220FM-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.8 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	11.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	36 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	65 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	Power MOSFET
Délai de désactivation type:	45 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Raccourcis pour l'article N°:	R8003KNX

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Fiche technique

R8003KNXC7G Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance 800 V 3 A à canal N R8003KNX

Le MOSFET de puissance 800 V 3 A à canal N R8003KNX de ROHM Semiconductor est un composant à faible résistance à l'état passant avec commutation rapide. Le R8003KNX dispose d'un placage sans plomb et est conforme à la directive RoHS. Les MOSFET ont une utilisation parallèle qui est facile à utiliser.