MOSFET 600-650V hautes performances série E Vishay Siliconix

Les MOSFET hautes performances série E Vishay Siliconix sont des MOSFET de puissance à canal N super-jonction de 500 et 650 V, avec réduction de 30 % de la résistance sous tension spécifique par rapport aux MOSFET série S. Ces MOSFET hautes performances série E offrent une faible résistance sous tension (RDS(on)), une faible capacité d'entrée (Ciss), des pertes capacitives de commutation réduites, une charge de grille ultra-basse (Qg), un coût réduit, un circuit de commande de grille simple, une valeur de mérite basse (FOM : RDS(on) x Qg) et une commutation rapide. Les applications standard des MOSFET hautes performances série E de Vishay Siliconix comprennent les alimentations de serveurs et d'équipements de télécommunication, l'éclairage, les équipements industriels, les chargeurs de batteries, les énergies renouvelables et les SMPS.
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Conditionnement
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
677En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5.4 A 820 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 7.5A N-CH MOSFET
Fiche technique
1 000En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7.5 A 205 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 155 C 33 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 650V 24A N-CH MOSFET
Fiche technique
2 819En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 800

Si SMD/SMT D²PAK-2 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V
Fiche technique
490En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
Fiche technique
262En stock
1 00019/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si SMD/SMT TO-263-4 N-Channel 1 Channel 800 V 21 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 800V E Series Pwr MOSFET
Fiche technique
685En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 184 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 59 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V
Fiche technique
3 759En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT PowerPak-9 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 29 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 23A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
40En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 158 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 95 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 26A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
45En stock
3 00027/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
Si

Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 650V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 15A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
Non stocké
Min. : 1 000
Mult. : 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V
Fiche technique
Non stocké
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 32A N-CH MOSFET
Fiche technique
Commentaire Produit
Non stocké
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
Bobine: 1 000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 132 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel