PMZB350UPE,315

Nexperia
771-PMZB350UPE315
PMZB350UPE,315

Fab. :

Description :
MOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
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Sur commande:
28 810
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Délai usine :
41
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Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,31 € 0,31 €
0,192 € 1,92 €
0,121 € 12,10 €
0,091 € 45,50 €
0,073 € 73,00 €
0,071 € 177,50 €
0,062 € 310,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)
0,052 € 520,00 €
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Nexperia
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1006-3
P-Channel
2 Channel
20 V
1.4 A
940 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.3 nC
- 55 C
+ 150 C
715 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Nexperia
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: MY
Type de produit: MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine: 10000
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: 934066841315
Poids de l''unité: 0,690 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

PMZB350UPE 20V P-Channel Trench MOSFET

Nexperia PMZB350UPE 20V P-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode field-effect transistor (FET) in a leadless, ultra-small DFN1006B-3 (SOT883B) surface-mounted device (SMD) plastic package. The device employs Trench MOSFET technology, has a low threshold voltage, provides very fast switching, and offers 1.8kV ESD protection. The Nexperia PMZB350UPE MOSFET is ideal for relay drivers, high-speed line drivers, high-side load switches, and switching circuits.