Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

RD3S100AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3S100AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3S100AAFRATL
Price: 3.13 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-RD3S100AAFRATL

N° de fab. :

RD3S100AAFRATL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

Fiche technique:

RD3S100AAFRATL Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de ROHM Semiconductor RD3S100AAFRATL

En stock: 2 856

Stock:: 2 856 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 16 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	3,13 €	3,13 €
	2,06 €	20,60 €
	1,44 €	144,00 €
	1,26 €	630,00 €
	1,15 €	1 150,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	1,07 €	2 675,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	190 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	182 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	52 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	85 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	75 ns
Transconductance directe - min.:	6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Série:	RD3
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	140 ns
Délai d'activation standard:	15 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RD3S100AAFRA
Poids de l''unité:	330 mg

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtrer les documents:

Fiche technique

RD3S100AAFRATL Fiche technique

Specification Sheets

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.

MOSFET de puissance SiC à canal N

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de ROHM Semiconductor disposent d’un courant de queue sans courant pendant la commutation, ce qui permet un fonctionnement plus rapide et une perte de commutation réduite. Leur faible résistance à l’état passant et leur taille compacte de puce assurent une capacité et une charge de grille faibles. Ces MOSFET de puissance SiC de ROHM présentent une augmentation minimale de la résistance en marche et fournissent une plus grande miniaturisation du boîtier. Cela permet d’économiser plus d’énergie que les composants Si standard, dans lesquels la résistance à l'état passant peut plus que doubler avec une température accrue.

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Automotive Solutions

ROHM Automotive Solutions contribute to the continuing evolution of the automotive sector through a stable, long-term supply of high-quality products. An expansive lineup supports the transition towards increased electrification and connectivity. ROHM can provide optimized solutions to suit various customer needs by focusing on safety, comfort, and the environment.

MOSFET RD3S100AAFRA de puissance 10 A à canal N 190 V

Le MOSFET de puissance RD3S100AAFRA 10 A 190 V à canal N de ROHM Semiconductor dispose d’une faible résistance en marche et d’une vitesse de commutation rapide. Le MOSFET RD3S100AAFRA peut être facilement configuré pour une utilisation en parallèle. Le MOSFET de puissance RD3S100AAFRA de ROHM est conçu pour les applications d'alimentation à découpage.

MOSFET de puissance automobile RD3x

Les MOSFET de puissance à canal N automobiles RD3x de ROHM Semiconductor sont des dispositifs de commutation et des redresseurs à haute performance conçus pour être utilisés dans une large gamme d'applications de puissance et de signal. Les composants RD3x homologués AEC-Q101 de ROHM présentent une faible tension directe, un temps de récupération rapide et une capacité de courant de surtension élevée, ce qui rend les MOSFET idéaux pour une conversion d'énergie et une protection efficaces dans les systèmes électroniques Avec des options adaptées à l'automobile, à l'industrie et à l'électronique grand public, la famille RD3 prend en charge des applications telles que les convertisseurs CC-CC, les pilotes de moteur, l'éclairage LED et les dispositifs alimentés par batterie. Un boîtier compact à montage en surface (TO-252-3) et un faible courant de fuite contribuent à des conceptions économes en espace et en énergie, tandis qu’une haute fiabilité assure une performance stable dans des conditions exigeantes.