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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Vishay Semiconductors Modules MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Fiche technique
314En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 32.6 mOhms - 8 V, 19 V 1.7 V - 55 C + 175 C 468 W
Vishay Semiconductors Modules MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Fiche technique
314En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 126 A 16.8 mOhms - 8 V, 19 V 2.5 V - 55 C + 175 C 535 W
Vishay Semiconductors Modules MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Fiche technique
148En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 127 A 12.1 mOhms - 8 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 750 W
Vishay Semiconductors Modules MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Fiche technique
160En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 43 mOhms - 4 V, 15 V 2.4 V - 55 C + 175 C 136 W
Vishay Semiconductors Modules MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Fiche technique
160En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 47 mOhms - 4 V, 15 V 2.6 V - 55 C + 175 C 238 W