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BGA5H1BN6E6327XTSA1

Name: Infineon BGA5H1BN6E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA5H1BN6E6327XT
Price: 0.5 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-BGA5H1BN6E6327XT

N° de fab. :

BGA5H1BN6E6327XTSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Amplificateur RF RF MMIC SUB 3 GHZ

Fiche technique:

BGA5H1BN6E6327XTSA1 Fiche technique (PDF)

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	0,433 €	4,33 €
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	0,373 €	37,30 €
	0,353 €	88,25 €
	0,336 €	168,00 €
	0,302 €	302,00 €
	0,259 €	1 036,00 €
	0,233 €	1 864,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 12000)
	0,233 €	2 796,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Amplificateur RF
RoHS:
Fréquence de fonctionnement:	2.3 GHz to 2.69 GHz
Tension d'alimentation de fonctionnement:	1.5 V to 3.6 V
Courant d'alimentation de fonctionnement:	8.5 mA
Gain:	18 dB
NF : facteur de bruit:	0.7 dB
Type:	Low Noise Amplifiers
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSNP-6
Technologie:	SiGe
P1dB - Point de compression:	- 16 dBm
OIP3 - Point d'intersection du 3e ordre:	- 6 dBm
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Affaiblissement d'équilibrage d'entrée:	10 dB
dB d'isolation:	36 dB
Nombre de canaux:	1 Channel
Pd - Dissipation d’énergie :	60 mW
Type de produit:	RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine:	12000
Sous-catégorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Fréquence de test:	2.5 GHz
Raccourcis pour l'article N°:	BGA 5H1BN6 E6327 SP001777994
Poids de l''unité:	0,830 mg

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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TARIC:: 8542330000
CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

BGA5x1BN6 Low-noise Amplifiers

Infineon Technologies BGA5x1BN6 Amplifier product family includes +18dBm high-gain, low-noise amplifiers that cover the low (600-1000MHz) mid (1805-2200MHz), and high-band (2300-2690MHz) frequency ranges. Based on Infineon Technologies‘ B9HF Silicon Germanium technology, the BGA5x1BN6 Amplifiers operate from a 1.5V to 3.6V supply voltage and offer single-line two-state control. The amplifiers provide excellent low-noise performance and competitive insertion-loss levels. Designers can easily enable BGA5x1BN6's off-state mode by powering down the V_CC. Available in an ultra-small leadless package measuring only 0.7 x 1.1mm², the BGA5x1BN6 Amplifiers are ideal for smartphones running on the LTE or GSM network.

CI amplificateurs à faible bruit (LNA)

Les CI amplificateurs à faible bruit (LNA) d'Infineon Technologies stimulent les débits de données et la qualité de réception des applications sans fil en utilisant un signal à très faible puissance sans perte significative du rapport signal-bruit. La sensibilité améliorée du récepteur améliore l'expérience utilisateur et satisfait les exigences du marché. Ces composants en petit boîtier hautement intégrés sont fournis avec une protection DES et une faible consommation d'énergie, ce qui est idéal pour les dispositifs mobiles alimentés par batterie. Les utilisateurs de dispositifs portables 4G/5G, GPS, télévision mobile, Wi-Fi et FM bénéficieront d'une réception à haut débit de données, d'une navigation rapide/précise et d'une diffusion fluide et de haute qualité, même dans les pires conditions de réception.