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R6004PND3FRATL

Name: ROHM Semiconductor R6004PND3FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6004PND3FRATL
Price: 3 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-R6004PND3FRATL

N° de fab. :

R6004PND3FRATL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 1st Gen, for Auto

Fiche technique:

R6004PND3FRATL Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	3,00 €	3,00 €
	1,92 €	19,20 €
	1,51 €	151,00 €
	1,38 €	690,00 €
	1,26 €	1 260,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	1,17 €	2 925,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.8 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	11 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	65 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	39 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	28 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	44 ns
Délai d'activation standard:	23 ns
Raccourcis pour l'article N°:	R6004PND3FRA
Poids de l''unité:	330 mg

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Attributs sélectionnés: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Fiche technique

R6004PND3FRATL Fiche technique

Specification Sheets

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET automobile à canal N 600 V R6004PND3FRA

Le MOSFET automobile à canal N 600 V R6004PND3FRA de ROHM Semiconductor est un MOSFET à faible résistance à l'état passant avec un retard de commutation rapide. Ce MOSFET de ROHM Semiconductor intègre des circuits d'entraînement simples et est homologué AEC-Q101. Le MOSFET R6004PND3FRA offre une résistance drain-source de 1,8 Ω (R_{DS (on)}), un courant de drain continu (I_D) de ±4 A et une dissipation de puissance (P_D) de 65 W. Ce MOSFET est idéal pour les alimentations de commutation.