Résultats: 4
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
Toshiba MOSFET UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
Fiche technique
Commentaire Produit
3 603En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
Fiche technique
Commentaire Produit
105En stock
2 000Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 55 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 49 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
Fiche technique
Commentaire Produit
825En stock
2 00016/11/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 6.3 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 125 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
Fiche technique
Commentaire Produit
Non stocké
Min. : 2 000
Mult. : 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms 100 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel