Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NTBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NTBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D7N10MCTXG
Price: 6.64 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTBLS1D7N10MCTXG

N° de fab. :

NTBLS1D7N10MCTXG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V STD TOLL

Fiche technique:

NTBLS1D7N10MCTXG Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NTBLS1D7N10MCTXG

En stock: 1 942

Stock:: 1 942 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,64 €	6,64 €
	4,53 €	45,30 €
	3,47 €	347,00 €
	3,26 €	3 260,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	3,23 €	6 460,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	272 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	115 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	295 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	31 ns
Transconductance directe - min.:	220 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	38 ns
Série:	NTBLS1D7N10MC
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	76 ns
Délai d'activation standard:	48 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NTBLS1D7N10MCTXG Fiche technique

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET monocanal N NTBLS1D7N10MC

Le MOSFET monocanal N NTBLS1D7N10MC onsemi dispose d’une faible R_DS(on) et minimise les pertes de conduction, assurant une gestion efficace de l’alimentation. Le NTBLS1D7N10MC Onsemi dispose d’une Qg et d’une capacité faibles, améliorant la vitesse de commutation et réduisant la dissipation d’énergie. L’inclusion d’une diode de récupération plus douce contribue également à améliorer les performances en minimisant le bruit de commutation et les interférences électromagnétiques potentielles. Le NTBLS1D7N10MC est sans plomb, en conformité avec les normes et réglementations de fabrication modernes.