MOSFET de puissance RxL120BLFRA

Les MOSFET de puissance RxL120BLFRA de ROHM Semiconductor sont des MOSFET de qualité automobile, homologués AEC-Q101. Les appareils disposent d'une tension de rupture drain source de 60 V, d'une résistance à l'état passant drain source statiques de 30 mΩ et d'un courant de drain continu de ±12 A. Les MOSFET de puissance RxL120BLFRA de ROHM sont idéaux pour les applications automobiles, notamment le système d'aide à la conduite (ADAS), l'infodivertissement, l'éclairage et la carrosserie.

Résultats: 2
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Conditionnement
ROHM Semiconductor MOSFET DFN2020 N-CH 60V 12A
Fiche technique
2 380En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000
Si SMD/SMT DFN-7 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 30 mOhms 20 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSMT N CHAN 60V
Fiche technique
2 320En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 3 000
Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 30 mOhms 20 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape