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RTF016N05FRATL

Name: ROHM Semiconductor RTF016N05FRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RTF016N05FRATL
Price: 0.58 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RTF016N05FRATL

N° de fab. :

RTF016N05FRATL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET AECQ

Fiche technique:

RTF016N05FRATL Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

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	0,585 €	0,59 €
	0,406 €	4,06 €
	0,30 €	30,00 €
	0,255 €	127,50 €
	0,23 €	230,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,166 €	498,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-323T-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	45 V
Id - Courant continu de fuite:	1.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	190 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	2.3 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	800 mW
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	1.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	14 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	16 ns
Délai d'activation standard:	8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RTF016N05FRA

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ThermalLink

Other

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SPICE Models

SpiceLink

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Test/Quality Data

RoHS (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MOSFET à petit signal RTF016N05FRA

Le MOSFET à petit signal RTF016N05FRA de ROHM Semiconductor dispose d'une faible résistance à l'état passant, d'une diode de protection G-S intégrée et d'un placage de fil sans plomb. Ce MOSFET est disponible en petit boîtier à montage en surface TUMT3 et est homologué AEC-Q101. Le MOSFET RTF016N05FRA offre une tension drain-source de 45 V, un courant de drain continu de ±1,6 A et un courant de drain pulsé de ±6,4 A. Ce MOSFET fonctionne sur une plage de température de jonction et une plage de température de stockage de -55 °C à +150 °C. Le MOSFET de signal RTF016N05FRA est idéal pour une utilisation en commutation.

AEC-Q101 Automotive MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Automotive MOSFETs provide wide drive type and support from a small signal to high power. These ROHM Semiconductor MOSFETs are available in a wide range of microminiature packages and help reduce the board space. The AEC-Q101 MOSFETs are automotive-supported products and are based on standard AEC-Q101. These MOSFETs offer high-speed switching and low on-resistance. The AEC-Q101 MOSFETs are available in single and dual polarities and provide a drain-source voltage ranging from -100V_DSS to 100V_DSS. These MOSFETs offer a drain-current ranging from -25A to 40A and R_DS(on) ranging from 0.004Ω to 3Ω (typical). The AEC-Q101 MOSFETs provide a total gate charge of 2nC to 80nC.