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NVMFWS004N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS004N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS004N10MCT1G
Price: 3.41 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-VMFWS004N10MCT1G

N° de fab. :

NVMFWS004N10MCT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

Fiche technique:

NVMFWS004N10MCT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	138 A
Rds On - Résistance drain-source:	3.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	48 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	164 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	13 ns
Transconductance directe - min.:	120 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18 ns
Série:	NVMFWS004N10MC
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	39 ns
Délai d'activation standard:	25 ns

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Fiche technique

NVMFWS004N10MCT1G Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance monocanal N NVMFWS004N10MC

Les MOSFET de puissance monocanal N NVMFWS004N10MC d'onsemi fournissent un courant de drain continu de 138 A, une R_{DS (ON)} de 3,9 mΩ à 10 V et une tension drain-source de 100 V. Le NVMFWS004N10MC est disponible en boîtier plat avec broches de 5 mm x 6 mm développé pour des conceptions compactes et efficaces. Le MOSFET homologué AEC-Q101 d'onsemi est compatible PHPP et idéal pour les applications automobiles.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

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	1,20 €	1 800,00 €

NVMFWS004N10MCT1G

Fab. : onsemi

Description : MOSFET PTNG 100V STD SO8FL

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Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

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MOSFET de puissance monocanal N NVMFWS004N10MC

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