Modules SiC E1B

Les modules   SiC E1B Onsemi   sont dotés d’un circuit en cascade unique avec un JFET SiC normalement activé co-emballé avec un MOSFET Si, ce qui donne un FET SiC normalement désactivé. Le SiC E1B série offre un pilote de grille de type silicium qui prend en charge des pilotes de grille unipolaires compatibles avec les Si IGBTs Si FET, SiC MOSFET et dispositifs à super-jonction Si. Hébergés dans le boîtier module E1B, ces dispositifs onsemi présentent charge de grille ultra-faibles et d’excellentes caractéristiques de commutation, ce qui les rend idéaux pour les applications à commutation dure et à commutation douce ZVS. Les modules intègrent une technologie avancée de fixation de matrice par frittage à l’argent pour un cycle de puissance et des performances thermiques supérieurs.