TDS5311P.C

Circuit intégré de protection EOS 1ligne 53 V SurgeSwitch™ TDS5311P

Le circuit intégré de protection EOS 1 ligne 53 V SurgeSwitch™ TDS5311P de Semtech est conçu pour offrir une protection EOS haute énergie avec des caractéristiques de température et de serrage supérieures par rapport aux dispositifs TVS standard. Le dispositif utilise un FET à courant de crête élevé en tant qu'élément de protection principal. Lors d’un événement EOS, la tension transitoire du dispositif dépasse sa tension de rupture nominale. Le FET, à son tour, commute et achemine le courant transitoire à la terre. La tension de serrage du TDS est presque constante sur la plage nominale de courant d'impulsion de crête en raison de la très faible résistance à l'étant passant des FET. La tension de serrage plus faible au courant d'impulsion de crête maximal rend le CI plus adapté à la protection des CI sensibles modernes que les diodes TVS standard. Le TDS5311P est conçu pour protéger le bus de tension ou les lignes de données avec une tension d'exploitation pouvant atteindre 53 V. Il supporte un courant transitoire haute énergie jusqu'à 24 A (tp = 8/20 μs) et peut être utilisé pour répondre aux exigences de surtension ±1 kV définies par la norme CEI 61000-4-5 (R_S = 42 Ω, C_S = 0,5 μF). Le TDS5311P Semtech est disponible dans un boîtier DFN à 6 broches de petite taille (2,0 mm x 2,0 mm) et représente une économie d’espace de carte significative par rapport aux dispositifs traditionnels avec boîtier SMAJ et SMBJ.