NVBLS1D7N10MCTXG

onsemi
863-NVBLS1D7N10MCTXG
NVBLS1D7N10MCTXG

Fab. :

Description :
MOSFET PTNG 100V STD TOLL

Modèle de ECAO:
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En stock: 1 737

Stock:
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Délai usine :
17 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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Ext. Prix
5,98 € 5,98 €
4,15 € 41,50 €
3,10 € 310,00 €
3,09 € 3 090,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
2,64 € 5 280,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
H-PSOF-8
N-Channel
1 Channel
100 V
265 A
1.8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
303 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 31 ns
Transconductance directe - min.: 220 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 38 ns
Série: NVBLS1D7N10MC
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 76 ns
Délai d'activation standard: 48 ns
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290040
ECCN:
EAR99

MOSFET PowerTrench® à canal N NVBLS1D7N10MCTXG

Le MOSFET PowerTrench® à canal N NVBLS1D7N10MCTXG d'onsemi délivre des performances thermiques élevées et un faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction. Le NVBLS1D7N10MCTXG est certifié AEC-Q101 et compatible PPAP, idéal pour les applications automobiles.