Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

NVXK2PR80WXT2

Name: onsemi NVXK2PR80WXT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2PR80WXT2
Price: 49.45 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NVXK2PR80WXT2

N° de fab. :

NVXK2PR80WXT2

Fab. :

onsemi

Description :

Modules MOSFET APM32 SIC POWER MODULE

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

NVXK2PR80WXT2 Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de onsemi NVXK2PR80WXT2

En stock: 48

Stock:: 48 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 15 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	49,45 €	49,45 €
	40,66 €	406,60 €
	36,07 €	3 607,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	APM-32
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	4 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	31 A
Rds On - Résistance drain-source:	116 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	208 W
Série:	NVXK2PR80WXT2
Conditionnement:	Tube
Marque:	onsemi
Configuration:	Full-Bridge
Temps de descente:	9 ns
Hauteur:	5.8 mm
Longueur:	44.2 mm
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	12 ns
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Type:	Power Module
Délai de désactivation type:	21 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Largeur:	29 mm

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

NVXK2PR80WXT2 Fiche technique

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Module au carbure de silicium (SiC) NVXK2PR80WXT2

Le module au carbure de silicium (SiC) NVXK2PR80WXT2 d'onsemi est un module d'alimentation à pont complet 1 200 V, Ω 80 m et 31 A logé dans un boîtier à double ligne (DIP). Ce module SiC est conçu de manière compacte pour une faible résistance totale du module. Le module d'alimentation NVXK2PR80WXT2 est homologué pour l'automobile selon AEC-Q101 et AQG324. Ce module d'alimentation est sans plomb, conformément aux directives RoHS et UL94V-0. La détection de température NVXK2PR80WXT2 et la résistance thermique minimale du module à SiC font qu'il est idéal pour les chargeurs CC-CC et embarqués dans des applications xEV.