HMC8500 RF Amplifiers

Analog Devices Inc. HMC8500 RF Amplifiers are gallium nitride (GaN), broadband power amplifiers. The amplifiers deliver >10W with up to 55% power added efficiency (PAE) and ±1.0dB typical gain flatness across a 0.01GHz to 2.8GHz instantaneous bandwidth. The HMC8500 series provides a 41dBm high-saturated output power from a 28V at 100mA supply voltage. In addition, the amplifiers offer a 4.5dB noise figure, 47dBM third-order intercept (OIP3), and 10dB return loss.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Fréquence de fonctionnement
Tension d'alimentation de fonctionnement
Courant d'alimentation de fonctionnement
Gain
NF : facteur de bruit
Type
Style de montage
Package/Boîte
Technologie
OIP3 - Point d'intersection du 3e ordre
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
Analog Devices Amplificateur RF High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA
Fiche technique
Délai de livraison 10 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

10 MHz to 2.8 GHz 28 V 100 mA 15 dB 4.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 47 dBm - 40 C + 85 C HMC8500 Cut Tape
Analog Devices Amplificateur RF High Power GaN Amps- 10W 1 - 2.5GHz PA
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 500
Mult. : 500
Bobine: 500

10 MHz to 2.8 GHz 28 V 100 mA 15 dB 4.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaN 47 dBm - 40 C + 85 C HMC8500 Reel