Modules de puissance EliteSiC NVXR22S90M2SPx

Les modules de puissance EliteSiC NVXR22S90M2SPx d'onsemi offrent des performances, un rendement et une densité de puissance améliorés dans un boîtier compact et compatible.   Les modules NVXR22S90M2SPx d'onsemi disposent d’un MOSFET SiC 900 V dans une configuration à six paquets, avec des broches à insertion par pression pour un assemblage facile et une fiabilité améliorée.   Ces composants comprennent un dissipateur thermique broche-fin optimisé sur la plaque de base et utilisent la technologie friteuse pour plus de fiabilité et d’efficacité thermique. Le module est conçu pour répondre à la norme automobile AQG324.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Série
Conditionnement
onsemi Modules MOSFET SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPB
Fiche technique
4En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W NVXR22S90M2SPB Tray
onsemi Modules MOSFET SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPC
Fiche technique
3En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC SMD/SMT SSDC-39 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W NVXR22S90M2SPC Tray
onsemi Modules MOSFET SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPM 4En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC SMD/SMT 900 V 510 A 2.7 mOhms - 8 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 175 C 900 W Tray