Diodes à récupération super-rapide RFVxBGE6STL

Les diodes à récupération super rapide RFVxBGE6STL de ROHM Semiconductor se caractérisent par une récupération très rapide, une perte de commutation ultra-faible et une capacité de surcharge de courant élevée. Ces diodes à récupération fonctionnent sur une plage de tension directe de 1,6 V à 2,8 V et sont stockées sur une plage de température de -55 °C à +150 °C. Ces diodes à récupération offrent une tension inverse de crête de 600 V, une tension inverse de 600 V et une température de jonction de 150 °C. Ces diodes à récupération super-rapide sont idéales pour une utilisation dans le redressement général pour PFC en mode courant continu.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Vr - Tension inverse
If - Courant direct
Type
Configuration
Vf - Tension directe
Courant de surtension max.
Ir - Courant inverse
Délai de reprise
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
ROHM Semiconductor Redresseurs Super Fast Recovery Diode
Fiche technique
2 427En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT TO-252GE-3 600 V 5 A Super Fast Recovery Diode Single 2.8 V 60 A 10 uA 40 ns + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Redresseurs Super Fast Recovery Diode
Fiche technique
2 433En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 500

SMD/SMT TO-252GE-3 600 V 8 A Super Fast Recovery Diode Single 2.8 V 100 A 10 uA 45 ns + 150 C Reel, Cut Tape