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SIZ254DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ254DT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZ254DT-T1-GE3
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SIZ254DT-T1-GE3

N° de fab. :

SIZ254DT-T1-GE3

Fab. :

Vishay / Siliconix

Description :

MOSFET PPAIR3X3 2NCH 70V 11.7A

Fiche technique:

SIZ254DT-T1-GE3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,51 €	1,51 €
	0,955 €	9,55 €
	0,64 €	64,00 €
	0,505 €	252,50 €
	0,462 €	462,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,433 €	1 299,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAIR-3x3S-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	70 V
Id - Courant continu de fuite:	32.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	16.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.4 V
Qg - Charge de grille:	13 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	33 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	TrenchFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Vishay / Siliconix
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	5 ns, 6 ns
Transconductance directe - min.:	45 S, 50 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Délai de désactivation type:	23 ns, 24 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Poids de l''unité:	143,050 mg

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Fiche technique

SIZ254DT-T1-GE3 Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET 70 V à double canal N (D-S) SiZ254DT

Les MOSFET 70 V à double canal N (D-S) SiZ254DT Vishay / Siliconix sont des MOSFET^® de puissance TrenchFET Gen IV. Les MOSFET SiZ254DT à 70 V disposent d'un étage de puissance demi-pont MOSFET intégré et d'un rapport Q_gs/Q_gs optimisé qui améliore les caractéristiques de commutation. Les doubles MOSFET SiZ254DT Vishay/Siliconix sont idéaux pour les applications POL, convertisseurs buck synchrones, CC-CC télécoms, convertisseurs résonants et commandes d'entraînement moteur.