FET GaN 650 V 30 mΩ LMG3522R030/LMG3522R030-Q1

Les FET GaN 650 V 30 mΩ LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 de Texas Instruments incluent un pilote intégré et une protection pour les convertisseurs de puissance en mode commutation. Le LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 intègre un pilote au silicium qui permet des vitesses de commutation allant jusqu’à 150 V/ns. Le dispositif implémente la polarisation de grille de précision intégrée de TI ce qui donne un SOA de commutation plus élevé que les commandes de grilles discrètes en silicium. Cette intégration, combinée au boîtier à faible inductance de TI, permet une commutation propre et un écho minimal dans les topologies d’alimentation électrique à commutation rapide. Une force de commande de grille réglable permet de contrôler la vitesse de balayage de 20 V/ns à 150 V/ns ce qui peut être utilisé pour contrôler les EMI et optimiser activement les performances de commutation.