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NTMFWS1D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFWS1D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFWS1D5N08XT1G
Price: 3.63 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

863-NTMFWS1D5N08XT1G

N° de fab. :

NTMFWS1D5N08XT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF

Fiche technique:

NTMFWS1D5N08XT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SO8FL-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	253 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.43 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	83 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	194 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	176 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Série:	NTMFWS1D5N08X
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	43 ns
Délai d'activation standard:	24 ns

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Fiche technique

NTMFWS1D5N08XT1G Fiche technique

PCN

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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