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NVMTSC1D3N08M7TXG

Name: onsemi NVMTSC1D3N08M7TXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMTSC1D3N08M7TG
Price: 5.26 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NVMTSC1D3N08M7TG

N° de fab. :

NVMTSC1D3N08M7TXG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET PT7 80V DC PQFN8*8 EXPANSION

Fiche technique:

NVMTSC1D3N08M7TXG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	5,26 €	5,26 €
	3,75 €	37,50 €
	2,73 €	273,00 €
	2,59 €	2 590,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	2,55 €	7 650,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFNW-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	348 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.25 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	196 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	5.1 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	PH
Pays de diffusion:	KR
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	32.8 ns
Transconductance directe - min.:	253 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	29 ns
Série:	NVMTSC1D3N08M7
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	80.9 ns
Délai d'activation standard:	39.9 ns
Poids de l''unité:	319,280 mg

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Fiche technique

NVMTSC1D3N08M7TXG Fiche technique

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMTSC1D3N08M7 Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMTSC1D3N08M7 Single N-Channel Power MOSFET is a compact and efficiently designed automotive power MOSFET with high thermal performance. This power MOSFET features low capacitance and a Wettable Flank plated option for enhanced optical inspection. onsemi NVMTSC1D3N08M7 MOSFET is AEC-Q101 Qualified and PPAP capable and comes in a small footprint of an 8mm x 8mm flat lead package. This device is ideally used in reverse battery protection, switching power supplies, high-side drivers, low-side drivers, H-bridges, and other automotive applications.