NVMTSC1D3N08M7TXG

onsemi
863-NVMTSC1D3N08M7TG
NVMTSC1D3N08M7TXG

Fab. :

Description :
MOSFET PT7 80V DC PQFN8*8 EXPANSION

Modèle de ECAO:
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En stock: 6 276

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Sur commande:
9 000
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Délai usine :
14
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
5,26 € 5,26 €
3,75 € 37,50 €
2,73 € 273,00 €
2,59 € 2 590,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
2,55 € 7 650,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFNW-8
N-Channel
1 Channel
80 V
348 A
1.25 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
196 nC
- 55 C
+ 175 C
5.1 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: onsemi
Configuration: Single
Pays d’assemblage: PH
Pays de diffusion: KR
Pays d'origine: PH
Temps de descente: 32.8 ns
Transconductance directe - min.: 253 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 29 ns
Série: NVMTSC1D3N08M7
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 80.9 ns
Délai d'activation standard: 39.9 ns
Poids de l''unité: 319,280 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

NVMTSC1D3N08M7 Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMTSC1D3N08M7 Single N-Channel Power MOSFET is a compact and efficiently designed automotive power MOSFET with high thermal performance. This power MOSFET features low capacitance and a Wettable Flank plated option for enhanced optical inspection. onsemi NVMTSC1D3N08M7 MOSFET is AEC-Q101 Qualified and PPAP capable and comes in a small footprint of an 8mm x 8mm flat lead package. This device is ideally used in reverse battery protection, switching power supplies, high-side drivers, low-side drivers, H-bridges, and other automotive applications.