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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
Fiche technique
59En stock
10 000Sur commande
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 170 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 77 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
Fiche technique
7 237En stock
5 00003/09/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
Fiche technique
18En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 460 A 1.12 Ohms - 20 V, 20 V 2.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
10 00015/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 53 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
4 54001/10/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 447 A 860 uOhms - 10 V, 10 V 1.1 V 76 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
2 27015/10/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 39 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
3 45001/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 60 V 454 A 750 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 209 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8
Fiche technique
4 60028/01/2027 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 46 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 15 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 445 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 120 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube