Modules IGBT EasyPACK™ FS50R12W2T7 et FS75R12W2T7

Les modules IGBT  EasyPACK ™ FS50R12W2T7 et FS75R12W2T7 d'Infineon Technologies sont des modules de transistors bipolaires à grille isolée et redresseur d’entrée triphasé 1 200 V. Basés sur l’IGBT7 TRENCHSTOP™ et la technologie de diode 7 contrôlée par émetteur, ces composants présentent des pertes fortement réduites et offrent un haut niveau de contrôle. Ces modules   sont spécialement optimisés pour les applications d’entraînement industriel, ce qui se traduit par des pertes statiques beaucoup plus faibles, une densité de puissance plus élevée et une commutation plus douce. Une augmentation significative de la densité de puissance peut être obtenue avec une température de surcharge en fonctionnement pouvant atteindre +175°C dans le module de puissance. 

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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Courant collecteur continu de 25 C Courant de fuite gâchette-émetteur Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 50 A sixpack IGBT module Délai de livraison 10 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT 1200 V, 75 A sixpack IGBT module Délai de livraison produit non stocké 10 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.55 V 65 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray