Modules au carbure de silicium (SiC) NXH0xxP120M3F1

Les Modules au carbure de silicium (SiC) NXH0xxP120M3F1 onsemi  contiennent des MOSFET au SiC M3S de 8 m Ω/ 1 200 V, de 10 mΩ/ 1 200 V, de 15 mΩ/ 1 200 V et de 30 mΩ/ 1 200 V, basés sur une topologie en demi-pont et sur une thermistance dans un boîtier F1. Ces modules se composent d'un matériau d’interface thermique (TIM) pré-appliqué  et sans TIM pré-appliqué. Les modules NXH0xxP120M3F1 sont conçus avec des broches à insertion par pression et sont sans plomb, sans halogénure et conformes à la directive RoHS. Ces modules d'alimentation sont utilisés dans les onduleurs solaires, l’alimentation industrielle, les stations de chargement de véhicules électriques (EV) et les alimentations sans interruption (ASI).